台积电日前宣布达成28纳米64MbSRAM试产良率，而且分别在28纳米高效能高介电层/金属闸(简称28HP)、低耗电高介电层/金属闸(简称28HPL)与低耗电氮氧化硅(简称28LP)等28纳米全系列制程验证均完成相同的良率。该公司亦同时宣布将低耗电制程纳入28纳米高介电层/金属闸(High-kMetalGate，HKMG)制程的技术蓝图，预计于2010年第三季进行试产(RiskProduction)。

    台积电研究发展副总经理孙元成表示，上述所有三种28纳米系列制程皆已由64MbSRAM芯片完成良率验证；更值得一提的是，此项成果亦展现该公司两项高介电层/金属闸制程采用gate-last方法而获得的制造效益。

    该公司先进技术事业资深副总经理刘德音则表示，这项突破突显台积电28纳米制程的能力与价值，显示该公司不仅有能力延伸传统惯用的氮氧化硅(SiliconOxynitride)材料至28纳米世代，也能够同时推出28纳米的高介电层/金属闸材料制程。

    台积电表示，自2008年九月发表28纳米技术以来，其技术的发展与进入量产的时程皆按预期计划进行。就试产时程顺序而言，低耗电氮氧化硅(简称28LP)制程预计于2010年第一季底进行试产，高效能高介电层/金属闸(简称28HP)制程则预计于2010年第二季底开始试产，而低耗电高介电层/金属闸(简称28HPL)制程的试产时程将继前两者之后推出，于2010年第三季进行试产。

    台积电采用gate-last方法的28HPL制程是28HP制程的延伸，强调低耗电、低漏电、但仍能维持中高效能。至于28HPL制程则适用于行动电话、精巧型随身易网机(smartnetbook)、无线通讯、可携式消费性电子等多种的低耗电应用。

    28HPL制程有完备的组件支持，适用于通用型市场应用的系统单芯片(SoC)平台，与28LP制程在特色上各有所强。28LP因延伸自氮氧化硅(SiON)制程，因而成本更低、且有利于快速上市，尤其适用于手机与手持装置的应用。

    此外该公司于2008年九月宣布之28HP制程亦采用gate-last方法，适合中央处理器(CPU)、绘图处理器(GPU)、芯片组(Chipset)与可程序化门阵列(FPGA)、游戏主机与行动计算等高效能导向的应用。

    为了将28纳米制程的功效在全系列各式不同客户产品中充分发挥，台积电已与客户和设计伙伴密切合作，在其开放创新平台(OpenInnovationPlatform，OIP)上提供完备的设计架构。